深紫外LED基礎(chǔ)上AlGaN的最新發(fā)展 2010年10月16日在深圳第七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇“材料與裝備技術(shù)分會”上，來自日本理化學(xué)研究所博士Hideki Hirayama向參會嘉賓介紹了深紫外LED基礎(chǔ)上AlGaN的最新發(fā)展。 Hideki Hirayama展示了發(fā)光波長在222-351nm之間的AlGaN基多量子阱(MQW)深紫外(UV) LED，這些LED制作于藍(lán)寶石基的低位錯密度(TDD) AlN模板上。生長于低位錯密度AlN模板上的AlGaN或AlInGaN多量子阱實現(xiàn)了高達(dá)50-80％的內(nèi)量子效率(IQE)。同時，通過使用多量子壘(MQB)顯著改善了電子注入效率(EIE)。對于256-275nm LEDs獲得了超過20mW的連續(xù)波輸出功率。對于247nm和270nm AlGaN-LEDs最大外量子效率分別達(dá)到了1.8％和2.75％。
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深紫外LED基礎(chǔ)上AlGaN的最新發(fā)展
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